全球半導體企業為了率先批量生產 200 層以上 NAND 閃存，展開了激烈的技術競爭。三星電子計劃在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 層以上 NAND 閃存，并在明年上半年開始批量生產。

　　據 businesskorea 報道，三星電子原計劃在 2021 年末開始量產 176 層 NAND，但考慮到市場情況，推遲到了 2022 年第一季度。不過美國的美光已經開始量產 176 層 NAND，業內人士預測，三星電子將加快 200 層以上 NAND 閃存量產的步伐，以奪回被美光奪走的技術領先地位。

　　業內人士稱，三星電子將在 128 層的單片存儲器上疊加 96 層，推出 224 層的 NAND 閃存。與 176 層相比，224 層 NAND 閃存的生產效率和數據傳輸速度將提高 30%。

　　另外，美光和 SK 海力士也在加速 200 層以上 NAND 閃存的開發。

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